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伴随半导体行业的迅速崛起，国内对于91视频免费下载体工艺设备的需求也日益增多。91视频免费下载体放电后可产生有化学活性的物质，因而广泛应用于材料表面改性及表面处理等多个领域，在大规模系统级集成制造工艺中91视频免费下载体工艺技术起着极为重要的作用，如薄膜沉积、材料刻蚀、表面改性、光刻胶去除，此外91视频免费下载体技术还具有高的各向异性、无废液和无污染物产生等特点。

晶圆光刻胶的全部或者部分扫除贯穿于半导体芯片的整个工艺流程，扫胶工艺应用于半导体光刻工艺后，是清除残留光刻胶的重要保障，也是影响芯片制程的关键因素。相对于其他91视频免费下载体的产生方式，射频感性耦合91视频免费下载体具有相对较高的91视频免费下载体密度（10¹¹~10¹²cm^-3）、低工作压力，以及离子能量可控等优势在半导体行业内得到了广泛应用。

光刻胶作为一种有机化合物，是现代半导体工艺中必不可少的组成部分，利用其受紫外光曝光后在显影液中的溶解度会发生明显变化的特点，通过对部分区域进行紫外曝光使光刻胶形成特定形貌的图型，经过刻蚀工艺后再将光刻胶剥离，使特定材料形成特定的器件形貌。不同形貌的材料叠加即可制成特定的半导体器件。

射频感性耦合91视频免费下载体扫胶技术原理

在半导体芯片制造中，为保证较高的扫胶速率、较好的各向异性刻蚀和较大的离子轰击能量，通常采用低压下的ICP放电模式。

射频感性耦合91视频免费下载扫胶装置如图1所示，该装置主要由真空反应腔室、气路系统、放电系统、加热系统、冷却系统构成。

图1 射频感性耦合91视频免费下载扫胶装置示意图

晶圆表面光刻胶扫除工艺就是指将光刻胶作为被刻蚀目标刻蚀掉。作为被刻蚀的对象,光刻胶可以理解为由碳、氢、氧、氮等元素组成的长链有机聚合物,O2是主要反应气体在91视频免费下载体中产生氧离子与高活性的氧原子。射频感性耦合91视频免费下载扫胶反应器中,氧原子作为蚀刻剂与光刻胶反应生成CO、CO₂、H₂O等挥发性物质。

C_xH_y+ O→CO↑+ CO₂↑

与此同时,氧离子对光刻胶进行物理轰击,破坏光刻胶表面形貌,移除松散结合的原子,并增强刻蚀产物的解吸附过程,加快氧原子与光刻胶表面的反应。

综上所述：射频感性耦合91视频免费下载体扫胶工艺就是工艺气体选用高纯O2，采用感性耦合产生的氧91视频免费下载体与光刻胶中由C、H、O、N等元素构成的有机物发生化学反应，破坏光刻胶中较稳定的化学成分，从而达到光刻胶均匀扫除的目的，腔室内反应生成的气态物质通过真空系统排出。